Esta semana se celebra, del 23 al 26 de octubre de 2018, en la ciudad china de Shenzhen, la cuarta edición de ILPS (International Lightning Protection Symposium), el simposio internacional en materia de protección contra el rayo, organizado por ILPA (International Lightning Protection Association).
ILPS, evento que se organiza cada dos años, es una de las citas más importantes en el ámbito de la protección contra el rayo y se realiza en esta ocasión, por primera vez, fuera de Europa. Una oportunidad para descubrir y conocer de primera mano los últimos avances científicos y tecnológicos en materia de protección contra el rayo.
Aplicaciones Tecnológicas ha participado en ILPS en todas las ediciones celebradas, y este año también forma parte en el simposio celebrado en China presentando dos artículos.
Aplicaciones Tecnológicas presenta las últimas publicaciones de su equipo de investigadores en ILPS 2018
David Ruiz, Doctor en Ingeniería Eléctrica y Responsable de Protección Externa en Aplicaciones Tecnológicas, ha presentado en su ponencia en el simposio de ILPS Shenzhen 2018 dos papers que reflejan algunas de las últimas investigaciones realizadas por el equipo de I+D+i de la compañía.
El primero de ellos, titulado Alarm Evaluation Methods for Thunderstorm Warning Systems (Métodos de evaluación de las alarmas para sistema de aviso de tormentas), propone un método para evaluar las alarmas que emiten los detectores de tormentas, concretamente los basados en la medida del campo electrostático.
El segundo paper presentado se titula: A New and Unified Approach for Calculating the Protected Volume of Different Lightning Air Terminals. Electrostatic Contour- Rolling Sphere Method – EC-RSM (Un nuevo enfoque para el cálculo del volumen protegido por diferentes captadores de rayo. Método de la esfera rodante con contorno electrostático). El documento repasa las incongruencias entre los diferentes métodos que se utilizan para posicionar los captadores y propone un nuevo punto de vista, basado en los resultados obtenidos de la simulación del campo electroestático.